1． 可檢測(cè)區(qū)范圍

無(wú)論用單晶探頭或線陣列探頭檢測(cè)，用直接接觸法或水浸法或楔塊法耦合，超聲波束與試件的相互作用，均取決于可檢測(cè)區(qū)范圍。

可檢測(cè)區(qū)是指能以足夠靈敏度（增益）且信噪比高于6dB的聲脈沖檢測(cè)出一定缺陷和測(cè)定缺陷尺寸的區(qū)域，包括表面阻尼振蕩和底面反射信號(hào)?？蓹z測(cè)區(qū)由下列曲線或界線確定（如下圖所示）

（1）底面反射曲線（BW）：該曲線界定了探頭通過(guò)鏡面反射可接收到的最大能量。

（2）近表面分辨力（NSR）或死區(qū)：該參數(shù)界定了將缺陷與始脈沖信號(hào)或界面信號(hào)（水浸法）可分開(kāi)、可識(shí)別的最小距離。接收器增益越大，則死區(qū)越大。

（3）衰減曲線（ATTN）：電子儀器可提供的最大增益稱為儲(chǔ)備增益（G，）。以此為起始點(diǎn)，該儲(chǔ)備增益值會(huì)因聲波在試件中的衰減而減小。衰減損失ΔG由下式給出：

ΔG=2αS

式中 α-衰減系數(shù)；

        S-聲程。

（4）噪聲水平和有效增益：與試件耦合的探頭一接到超聲儀器上，電子噪聲水平就會(huì)升高。該噪聲來(lái)自探頭、楔塊、電纜、耦合劑和試件材料晶粒結(jié)構(gòu)，有隨機(jī)分布特征。其幅度的表示與底面回波方法一致，但其始點(diǎn)由確定。

      在可檢測(cè)區(qū)以外，任何缺陷均不可檢測(cè)，原因是：死區(qū)影響，或噪聲水平升高，或聲衰減引起波幅電子增益余量不夠，或缺陷離試件底面太近等。